檢索結果：共16筆資料 檢索策略： "太陽能電池".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術，作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示，非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
2
異質接合太陽電池的高開路電壓特性取決於是否有良好的鈍化層，本論文研究以射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備本質氫化非晶氧化矽薄膜用於鈍化n型單晶矽基材，研究重點為探討本質氫化非晶氧化…
3
本論文乃以未來世代高效率矽晶太陽能電池的技術發展為議題，針對矽晶太陽能電池製作可能的矽晶異質接合，依據實驗室既有的以本質氫化非晶矽為鈍化層的矽晶異質接合太陽能電池η = 19.6 %、Voc = 6…
4
本研究主要利用低溫、低電漿密度的UHV-PECVD系統成長太陽能電池的i層鈍化層，其材料種類有a-Si:H、a-SiOx:H、a-SiNx:H及a-SiCONx:H，並使用金屬遮罩搭配獨立腔體聯結式…
5
本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
6
氧化銦鍚(indium tin oxide, ITO)在可見光範圍具有量好的導電性及透光性，因此在光學元件上常利用ITO來增加載子的傳導與收集。以單晶矽太陽能電池為例，除了可以做為透明導電層之外，還…
7
本研究使用超高頻電漿化學氣相沉積系統來製備微晶矽薄膜，同時利用放射光譜儀來觀測電漿中成分的變化，並將放射光譜儀的量測結果和薄膜的結構特性做比較。並藉由調整電漿功率、反應總壓、上下電極間距、氫氣稀釋比…
8
本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …
9
本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
10
本研究係在玻璃上塗布以TEOS溶膠-凝膠法合成的二氧化矽粒子於玻璃上並平滑化作為具光捕捉能力的散射層，之後再鍍上透明導電氧化物(TCO)層形成具光學散射功能的TCO玻璃並應用於矽基薄膜太陽能電池的製…